商品名称:IMBF170R450M1XTMA1
データマニュアル:IMBF170R450M1XTMA1.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-7
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:4000 件
IMBF170R450M1XTMA1 1700V トレンチ型炭化ケイ素MOSFETトランジスタ TO-263-8
製品の特徴
トランジスタの極性 Nチャンネル
チャンネル数 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧: 1.7 kV
Id-連続ドレイン電流:9.8A
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗: 450 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 10 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧: 4.5 V
Qg - ゲート電荷量 11 nC
最低動作温度: - 55 C
最大動作温度 + 175 C
Pd - 許容損失: 107 W
チャンネルモード エンハンスメント
立ち下がり時間:24 ns
順方向トランスコンダクタンス - Min: 0.9 S
製品タイプ MOSFET(モスフェット
立ち上がり時間:20 ns
製品概要
IMBF170R450M1XTMA1は、TO-263-7パッケージの1700V CoolSiC™ トレンチ型炭化ケイ素MOSFETトランジスターです。
特長
超低スイッチング損失
フライバックコントローラと互換性のある12V/0Vゲートソース電圧
完全制御可能なdV/dt、EMIに最適化されている
ゲート電圧12V/0Vのフライバックコントローラーに対応
沿面距離と電気的クリアランスを拡大したSMD(表面実装)パッケージ(> 7 mm)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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