商品名称:NTMFD5C470NLT1G
データマニュアル:NTMFD5C470NLT1G.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:8-DFN
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
NTMFD5C470NLT1G 40VデュアルNチャネルパワーMOSFETにはショートキーが組み込まれており、DFN8 (SO8FL)パッケージを採用しています。このNチャネルパワーMOSFETは、内蔵パワーレベルのソリューションで、回路基板の占有スペースを最小化し、寄生インダクタンスを最小化し、電力消費を低減します。このデュアルNチャネル・パワーMOSFETは,鉛フリー,ハロゲンフリー/ BFRフリーで,RoHS指令に準拠しています。典型的な用途としては、直流変換器、システム電圧レール、負荷点などがあります。
製品仕様です:
技術:MOSFET(金属酸化物)です
構成:2 n-チャンネル(ダブル)です。
FET機能:-です
ドレインソース電圧(Vdss): 40Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 11A (Ta), 36A (Tc)
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):11.5ミリオ@ 5A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):2.2V @ 20µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):9nC @ 10Vです。
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):590pF @ 25Vです。
電力-最大値:3W (Ta), 24W (Tc)です
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ケース:8-PowerTDFNです。
ベンダーパッケージ:8-DFN (5x6)ダブルマーカー(SO8FL-ダブルチャネル)です。
基本品番:NTMFD5です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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