商品名称:IPB180P04P403ATMA2
データマニュアル:IPB180P04P403ATMA2.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:7000 件
Infineon IPB180P04P403ATMA2 OptiMOS®-P2 車載用 MOSFET は、OptiMOS-P2 および Gen5 技術による P チャネル車載用パワー MOSFET のフルレンジを提供します。
製品特性
シリーズ:車載用、AEC-Q101、OptiMOS®-P2
FETタイプ: Pチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレインソース電圧 (Vdss): 40 V
ドレイン連続電流(Id):180A(Tc)(25℃時
オン抵抗(Id、Vgs(max)別):2.8ミリオーム@100A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 4V @ 410µA
ゲート電荷(Qg):250nC@10V、Vgs(max)別
Vgs (最大): ±20V
入力容量(Ciss): 17640 pF @ 25 V(最大)、各Vdsにおける
FETの機能:-)
電力損失(最大):150W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース: TO-263-7、D²Pak (6リード+タブ)
特長
ハイサイド駆動のためのチャージポンプが不要
シンプルなインターフェース駆動回路
世界最小のRDSon値(40V)
非常に高い突入電流耐性
スイッチング消費電力と伝導電力損失が非常に小さく、熱効率が高い。
堅牢なパッケージ、優れた品質、高い信頼性
標準パッケージ TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
想定される用途
モーターブリッジ用ハイサイドMOSFET (ハーフブリッジ、Hブリッジ、三相モーター)
40VのPチャネルをハイサイドデバイスとして使用したチャージポンプを使用しないブリッジ構成
シミュレーション/SPICE-Model
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TDSON-8
35000
40V、デュアルNチャンネル、11.6 mΩ最大、車載用MOSFET、デュアルSS08(5x6)、OptiMOS™-T2
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