商品名称:SSM3K35CTC
データマニュアル:SSM3K35CTC.pdf
ブランド:TOSHIBA
年:1815+
パッヶージ:CST3C
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:40000 件
SSM3K35CTC MOSFET 面実装タイプ Nチャンネル 20V 250mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C
製品特性
製品タイプ: MOSFET
技術:Si
実装形態:SMD/SMT
パッケージ/ケース: CST3-3
トランジスタの極性:Nチャンネル
チャンネル数:1チャンネル
Vds - ドレイン・ソース降伏電圧: 20 V
Id-連続ドレイン電流:250 mA
Rds On - ドレイン・ソース間オン抵抗: 1.1 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 10 V, + 10 V
Vgs th - ゲートソースしきい値電圧:1 V
Qg - ゲート電荷量:340pC
最低動作温度: - 55 C
最高使用温度:+ 150 C
Pd - 許容損失: 500 mW
チャンネルモード:エンハンスメント
商品名:U-MOSIII
構成:シングル
下降時間:5.5ns
高さ:0.38mm
長さ:0.8mm
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間:2ns
シリーズ:SSM3K35
工場出荷時パック数量:10000個
サブカテゴリ:MOSFET
トランジスタの種類: 1 Nチャンネル
標準オフディレイ時間:6.5ns
標準的なターンオン遅延時間:2 ns
幅:0.6mm
単位重量:0.550mg
アプリケーション
高速スイッチング
アナログスイッチ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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