商品名称:STM32G491RCT6
データマニュアル:STM32G491RCT6.pdf
ブランド:ST
年:22+
パッヶージ:LQFP64
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1500 件
STM32G491xC/xEデバイスは、高性能なArm® Cortex®-M4 32ビットRISCコアをベースにしています。これらのデバイスは、最大170 MHzの周波数で動作します。
Cortex-M4コアは、単精度浮動小数点ユニット(FPU)を備えており、Armのすべての単精度データ処理命令とすべてのデータ型をサポートしています。また、DSP(デジタル信号処理)命令のフルセットと、アプリケーションのセキュリティを強化するMPU(メモリ保護ユニット)を実装しています。
これらのデバイスは、高速メモリ(512Kバイトのフラッシュメモリと112KバイトのSRAM)、Quad-SPIフラッシュメモリインタフェース、2本のAPBバス、2本のAHBバス、32ビットマルチAHBバスマトリックスに接続された広範囲な拡張IOと周辺回路を内蔵しています。
また、フラッシュメモリやSRAMの保護機能として、読み出し保護、書き込み保護、メモリ領域の保護、独自コードの読み出し保護などが搭載されています。
このデバイスは、数学/演算機能の高速化を可能にするペリフェラル(三角関数用のCORDICとフィルタ関数用のFMACユニット)を内蔵しています。
高速12ビットADC(5Msps)×3、コンパレータ×4、オペアンプ×4、DACチャンネル×4(外部2、内部2)、内部電圧基準バッファ、低電力RTC、汎用32ビットタイマ×1、モータ制御専用16ビットPWMタイマ×3、汎用16ビットタイマ×7、16ビット低電力タイマ×1を備えています。
また、以下のような標準および高度な通信インタフェースを備えています。
- I2C×3系統
- 3つのI2Cと2つの半二重I2Sに多重化された3つのSPI
- 3つのUSART、2つのUART、1つの低電力UART。
- 2つのFDCAN - 1つのSAI - USBデバイス
- UCPD
デバイスは、-40~+85℃(+105℃ジャンクション)および-40~+125℃(+130℃ジャンクション)の温度範囲で、1.71~3.6Vの電源で動作します。包括的な省電力モードにより、低消費電力アプリケーションの設計が可能です。
ADC,DAC,OPAMP,コンパレータ用のアナログ独立電源入力など,いくつかの独立電源がサポートされています。VBAT入力は、RTCとレジスタのバックアップを可能にします。
STM32G491xC/xEファミリは、32ピンから100ピンまでの9種類のパッケージを提供しています。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 240MHz 4MB (4M x 8) フラッシュメモリ PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR™ 1、機能安全 (FuSa) マイクロコントローラ IC 8 ビット 20MHz 8KB (8K x 8) フラッシュ 20-VQFN (3x3)
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STMicroelectronics(ST)グループは、イタリアのSGSMicroelectronicsとフランスのThomsonSemiconductorの合併により1987年に設立されました。 1998年5月、SGS-THOMSONMicroelectronicsは社名をSTMicroelectronicsLimitedに変更しました。 STMicroelectronicsは、世界最大…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AGは650 V、30 Aゲージ級の溝ゲートオフ低損失MシリーズIGBTで、先進的な溝ゲートオフ構造を採用して開発されました。このデバイスはMシリーズIGBTの一部で、インバータシステムの性能と効率の理想的なバランスを表し、低損失と短絡機能が重要です。また、V…STGWA60V60DF
stgwa60v60dfは一種の先進だけ槽鉄柵場まで構造の使用,igbt素子、vシリーズ,igbtの一部に属する。このデバイスは、非常高週波変換器の効率を向上させる伝導損失とスイッチング損失の間の最適なトレードオフを達成することを目指しています。最大の结温を175c、连オフの…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFBは650 V、60 Aの高速トレンチゲートオフIGBTデバイスで、先進的な独自のトレンチゲート演算構造を採用して開発され、伝導とスイッチング損失の間の最適なトレードオフを実現して、任意のコンバータの効率を向上させます。その技術仕様と典型的な用途は以下の…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3は、1200 V、40 A溝ゲートカットオフ低損失MシリーズIGBTです。低損失と短絡機能を備え、高性能と高効率を必要とするインバータシステムに特に適しています。その正の温度係数vce (sat)と厳しいパラメータの分布を並行操作の安全性を確保した。STGWA40M1…STGW8M120DF3
stgw8m120df3素子は一种の1200 v a槽ゲート、8試合まで読んだりmシリーズ,igbt、低い、低い、読んだりと短絡機能をstgw8m120df3, igbt特別に高性能と高効率のインバータシステムが必要だ。その仕様と応用シナリオは以下の通りです。技術仕様ですIGBTタイプ:溝型フィール…STGW40H65DFB
STGW40H65DFBは、650 V、40 Aの高速トレンドゲートオフHBシリーズのIGBTです。同製品を先進の占有槽構造まで、鉄柵試合の最適化に向けた導通とスイッチを読んだりのバランスが、何の周波数変換効率を高める。その技術仕様と典型的な用途は以下の通りです。技術仕様です…連絡先電話:86-755-83294757
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