商品名称:STM32H7A3NGH6
データマニュアル:STM32H7A3NGH6.pdf
ブランド:ST
年:21+
パッヶージ:TFBGA216
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:960 件
STM32H7高性能マイコンは、高性能Arm® Cortex®-M7 32ビットRISCコアを搭載し、最大400MHzで動作します。
仕様
コアプロセッサ ARM® Cortex®-M7
コア仕様 32ビットシングルコア
スピード 280MHz
接続性 CANbus、EBI/EMI、HDMI-CEC、I²C、IrDA、LINbus、MDIO、MMC/SD/SDIO、SAI、SPDIF、SPI、SWPMI、UART/USART、USB OTG
周辺機器 低電圧検出/リセット、DMA、I²S、LCD、POR、PWM、WDT
I/O数 166
プログラムメモリ容量 2MB(2M×8)
プログラムメモリタイプ フラッシュメモリ
EEPROM容量
RAMサイズ 1.4M x 8
電圧 - 供給電圧 (Vcc/Vdd) 1.62V ~ 3.6V
データコンバータ A/D 20x16b; D/A 3x12b
発振器型式 内蔵
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付方式 表面取付型
パッケージ/ケース 216-TFBGA
サプライヤー デバイスパッケージ 216-TFBGA (13x13)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 240MHz 4MB (4M x 8) フラッシュメモリ PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR™ 1、機能安全 (FuSa) マイクロコントローラ IC 8 ビット 20MHz 8KB (8K x 8) フラッシュ 20-VQFN (3x3)
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STMicroelectronics(ST)グループは、イタリアのSGSMicroelectronicsとフランスのThomsonSemiconductorの合併により1987年に設立されました。 1998年5月、SGS-THOMSONMicroelectronicsは社名をSTMicroelectronicsLimitedに変更しました。 STMicroelectronicsは、世界最大…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AGは650 V、30 Aゲージ級の溝ゲートオフ低損失MシリーズIGBTで、先進的な溝ゲートオフ構造を採用して開発されました。このデバイスはMシリーズIGBTの一部で、インバータシステムの性能と効率の理想的なバランスを表し、低損失と短絡機能が重要です。また、V…STGWA60V60DF
stgwa60v60dfは一種の先進だけ槽鉄柵場まで構造の使用,igbt素子、vシリーズ,igbtの一部に属する。このデバイスは、非常高週波変換器の効率を向上させる伝導損失とスイッチング損失の間の最適なトレードオフを達成することを目指しています。最大の结温を175c、连オフの…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFBは650 V、60 Aの高速トレンチゲートオフIGBTデバイスで、先進的な独自のトレンチゲート演算構造を採用して開発され、伝導とスイッチング損失の間の最適なトレードオフを実現して、任意のコンバータの効率を向上させます。その技術仕様と典型的な用途は以下の…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3は、1200 V、40 A溝ゲートカットオフ低損失MシリーズIGBTです。低損失と短絡機能を備え、高性能と高効率を必要とするインバータシステムに特に適しています。その正の温度係数vce (sat)と厳しいパラメータの分布を並行操作の安全性を確保した。STGWA40M1…STGW8M120DF3
stgw8m120df3素子は一种の1200 v a槽ゲート、8試合まで読んだりmシリーズ,igbt、低い、低い、読んだりと短絡機能をstgw8m120df3, igbt特別に高性能と高効率のインバータシステムが必要だ。その仕様と応用シナリオは以下の通りです。技術仕様ですIGBTタイプ:溝型フィール…STGW40H65DFB
STGW40H65DFBは、650 V、40 Aの高速トレンドゲートオフHBシリーズのIGBTです。同製品を先進の占有槽構造まで、鉄柵試合の最適化に向けた導通とスイッチを読んだりのバランスが、何の周波数変換効率を高める。その技術仕様と典型的な用途は以下の通りです。技術仕様です…連絡先電話:86-755-83294757
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