商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-HSOF-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1680 件
IPT026N12NM6は、TOリードレスパッケージの汎用120V MOSFETで、オン抵抗は2.6mΩです。
この技術は、OptiMOS™ 3と比較して、最大58%高いRDS(on)、最大66%高いFOMg、最大90%高いQrr、および最大35%高いFOMossを特長としています。IPT026N12NM6は、インフィニオンのOptiMOS™ 6パワーMOSFETファミリに属します。
IPT026N12NM6の特長
- Nチャネル、ノーマルレベル
- 非常に低いオン抵抗RDS(on)
- 優れたゲート電荷×R積(FOM) DS(on)
- 非常に低い逆回復電荷 (Q )rr
- 高いアバランシェエネルギーレベル
- 175℃動作温度
- 高周波スイッチング用に最適化
- 鉛フリーめっき、RoHS対応
- ハロゲンフリー、IEC61249-2-21準拠
- MSLレベル1のJ-STD-020に準拠
IPT026N12NM6製品属性
メーカー: インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ: OptiMOS™ 6
FETタイプ: Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):120 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):23A(Ta)、224A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V、10V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):2.6 mOhm @ 115A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 3.6V @ 169µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs時:88nC@10V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 6500 pF @ 60 V
許容損失(最大): 3W(Ta)、283W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース: 8-PowerSFN
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TO220-3
5000
CoolMOS® パワートランジスタ スルーホール Nチャネル 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
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