商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-WHSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1680 件
IQD020N10NM5SCは、業界をリードするRDS(on)を備えたPQFN 5x6縮小ソースDSCパッケージのOptiMOS™パワーMOSFET 100Vです。
パワーMOSFET IQD020N10NM5SCは、2,05 mOhmという低いRDS(on)と、電力損失を容易に管理できる優れた熱性能を特長としています。 また、両面冷却のオーバーモールドパッケージに比べ、5倍の消費電力を実現しています。
製品の特徴
最先端の100Vシリコン・テクノロジー
優れたFOM
改善された熱性能
超低寄生素子
チップ/パッケージ比の最大化
応用分野
低電圧駆動
多軸航空機
自動車用バッテリー管理システム(BMS)
小型電気自動車
ソーラーシステム・ソリューション
IQD020N10NM5SCの製品属性
製品カテゴリー: MOSFET
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: PG-WHSON-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流:276 A
Rds-ドレインオン抵抗: 2.05 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:3.8 V
Qg - ゲート電荷量: 107 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
パラジウム-電力損失:333 W
チャネルモード: エンハンスメント
商品名: OptiMOS
構成: Single
立ち下がり時間: 7 ns
立ち上がり時間: 6 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間: 28 ns
典型的なターンオン遅延時間:15 ns
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TO220-3
5000
CoolMOS® パワートランジスタ スルーホール Nチャネル 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
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