商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-WHSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1680 件
IQD020N10NM5SCは、業界をリードするRDS(on)を備えたPQFN 5x6縮小ソースDSCパッケージのOptiMOS™パワーMOSFET 100Vです。
パワーMOSFET IQD020N10NM5SCは、2,05 mOhmという低いRDS(on)と、電力損失を容易に管理できる優れた熱性能を特長としています。 また、両面冷却のオーバーモールドパッケージに比べ、5倍の消費電力を実現しています。
製品の特徴
最先端の100Vシリコン・テクノロジー
優れたFOM
改善された熱性能
超低寄生素子
チップ/パッケージ比の最大化
応用分野
低電圧駆動
多軸航空機
自動車用バッテリー管理システム(BMS)
小型電気自動車
ソーラーシステム・ソリューション
IQD020N10NM5SCの製品属性
製品カテゴリー: MOSFET
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: PG-WHSON-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流:276 A
Rds-ドレインオン抵抗: 2.05 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:3.8 V
Qg - ゲート電荷量: 107 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
パラジウム-電力損失:333 W
チャネルモード: エンハンスメント
商品名: OptiMOS
構成: Single
立ち下がり時間: 7 ns
立ち上がり時間: 6 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間: 28 ns
典型的なターンオン遅延時間:15 ns
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 100 V 26A(Ta)、276A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 80V、PQFN 5x6ソースダウン・センターゲートDSCパッケージ、超低RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 60V、PQFN 5x6ソースダウン・センターゲートDSCパッケージ、業界最高レベルのRDS(on)を実現
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 60 V 42A(Ta)、445A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 60 V、PQFN 5x6ソースダウンDSCパッケージ、業界最高レベルのRDS(on)を実現
INFINEON
PG-WHTFN-9
1000
OptiMOS™ パワーMOSFET 40Vノーマルレベル、PQFN 5x6ローワーソースセンターゲートDSCパッケージ
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IGC033S101は,小型のPQFN 3 5パッケージを採用し,高電力密度設計を実現した100 V常閉拡張型電力トランジスタです。その低いオン抵抗のため、それは要求の厳しい高電圧と大電流の用途で信頼性の性能を実現するために理想的です。特徴です:・超高速スイッチと高効率です・…IGC025S08S1
IGC025S08S1は,小型のPQFN 3 5パッケージを採用し,高電力密度設計を実現した80 Vの常閉拡張型電力トランジスタです。その非常に低いオン抵抗のため、それは要求の厳しい高電圧と大電流のアプリケーションで信頼性の高い性能を実現するために理想的です。IGC025S08S1の応…連絡先電話:86-755-83294757
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