商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-WHSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1680 件
パワーMOSFET IQD016N08NM5SCは、RDS(on)が1.57mOhmと低く、熱特性に優れているため、電力損失の管理が容易です。 また、両面冷却パッケージの許容損失は、オーバーモールドパッケージに比べて5倍高くなっています。
これにより、さまざまなエンド・アプリケーションに対して、より高いシステム効率と電力密度を提供します。
特徴
最先端の80Vシリコン・テクノロジー
優れたFOM
熱性能の向上
超低寄生素子
チップ/パッケージ比の最大化
利点
伝導損失の最小化
電圧オーバーシュートの低減
最大電流能力の向上
高速スイッチング
並列デバイス数が少ない
5x6フットプリントで最小のRDS(on)
熱性能の向上
容易な熱管理
最適なスイッチング性能
業界標準パッケージ
用途
低電圧ドライブ
通信インフラ
電源装置
サーバー電源
自動車用バッテリー管理システム(BMS)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 100 V 26A(Ta)、276A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
N チャネル 100 V 26A(Ta)、276A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHSON-8-U02
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 80V、PQFN 5x6ソースダウン・センターゲートDSCパッケージ、超低RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 60V、PQFN 5x6ソースダウン・センターゲートDSCパッケージ、業界最高レベルのRDS(on)を実現
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 60 V 42A(Ta)、445A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 60 V、PQFN 5x6ソースダウンDSCパッケージ、業界最高レベルのRDS(on)を実現
INFINEON
PG-WHTFN-9
1000
OptiMOS™ パワーMOSFET 40Vノーマルレベル、PQFN 5x6ローワーソースセンターゲートDSCパッケージ
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IGC033S101は,小型のPQFN 3 5パッケージを採用し,高電力密度設計を実現した100 V常閉拡張型電力トランジスタです。その低いオン抵抗のため、それは要求の厳しい高電圧と大電流の用途で信頼性の性能を実現するために理想的です。特徴です:・超高速スイッチと高効率です・…IGC025S08S1
IGC025S08S1は,小型のPQFN 3 5パッケージを採用し,高電力密度設計を実現した80 Vの常閉拡張型電力トランジスタです。その非常に低いオン抵抗のため、それは要求の厳しい高電圧と大電流のアプリケーションで信頼性の高い性能を実現するために理想的です。IGC025S08S1の応…連絡先電話:86-755-83294757
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