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IQD009N06NM5CGSCは、業界をリードするRDS(on)を備えたOptiMOS™パワーMOSFET 60Vノーマルレベルで、PQFN 5x6下部ソース・センター・ゲートDSCパッケージです。

パワーMOSFET IQD009N06NM5CGSCは、0.9mΩの低RDS(on)と優れた熱性能を特長とし、電力損失管理が容易です。 センターゲートのフットプリントは、並列化に最適化されています。 さらに、両面冷却パッケージの消費電力は、オーバーモールドパッケージに比べて5倍高くなっています。

これにより、さまざまな最終用途向けに高いシステム効率と電力密度を実現します。

特徴

最先端の60Vシリコン・テクノロジー

優れたFOM

改善された熱性能

超低寄生素子

チップ/パッケージ比の最大化

センターゲート・フットプリント

業界標準パッケージ

利点

最高のスイッチング性能

伝導損失の最小化

高速スイッチング

電圧オーバーシュートの低減

最大電流能力の向上

並列デバイス数が少ない

5x6フットプリントで最小のRDS(on)

容易な熱管理

仕様

FETタイプ：Nチャンネル  

技術：MOSFET（金属酸化物）  

ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：60 V  

25℃における連続ドレイン電流（Id）：42A（Ta）、445A（Tc）  

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V  

オン抵抗（最大）（異なるId、Vgs時）：0.9 mΩ＠50A、10V  

異なるIdにおけるVgs（th）（最大）：3.3V @ 163µA  

ゲート電荷量（Qg）（最大）＠Vgs：150nC＠10V  

Vgs（最大）：±20V  

入力キャパシタンス（Ciss）（最大）：12000 pF @ 30 V  

許容損失（最大）： 3W（Ta）、333W（Tc）  

動作温度： -55°C ~ 175°C (TJ) 

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。