商品名称:IGBT モジュール
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:AG-62MMHB
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
FD450R12KE4Pは62mm1200V、450A、第四世代IGBT単管チョッパモジュールであり、「プリコート熱伝導シリコン」界麺材料方案を備える。
特徴です:
電気的特性です
・VCES = 1200Vです。
・IC nom = 450A / ICRM = 900Aです。
・VCEsat正の温度係数です
・スイッチングロスが低いです
・圧倒的な堅牢性です
機械的特性です
・パッケージCTI>400です。
・標準パッケージです
・絶縁基板です
・熱伝導性媒体のプレコーティングです
高出力密度です
・高い走行距離と電気的ギャップです
応用です:
・トリプルレベル応用です
・斬波応用です
・モーター駆動です
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
MODULE
2000
IGBT モジュール トレンチ フィールド ストップ トリプル インバータ 950 V 310 A 20 mW ベース マウント
INFINEON
Module
2000
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 2 独立 1200 V 600 A 20 mW シャーシ実装 AG-ECONOD
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
インフィニオンテクノロジーズは1999年4月1日にドイツのミュンヘンに正式に設立され、世界をリードする半導体企業の1つです。その前身は、1999年に独立し、2000年に公開されたSiemensGroupの半導体部門でした。その中国名はYihengTechnologyで、2002年以降InfineonTechno…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791は,TriCore CPU,プログラムメモリとデータメモリ,バス,バスアービトレーション,割り込みコントローラ,周辺制御プロセッサとDMAコントローラ,複数のオンチップ周辺機器を備えた高性能マイクロコントローラです。TC1791は,価格/性能,リアルタイム応答性,計…IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2Hパワーデバイスは、インフィニオンが発売したCoolSiC™MOSFETです。第2世代炭化シリコン製品で、高効率パワーエレクトロニクス設計に適しています。IMDQ75R004M2Hは以下のキーパラメータを有します:FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCFET(炭化ケイ素)ですドレ…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2Hは(Infineon)が発売した第二世代の炭化シリコンMOSFETで、改善されたスイッチング性能、低い損失、強化された熱管理を備えています。第1世代と比較してスイッチング速度は25%向上し、品質ファクタは35%向上し、自動車アプリケーション向けにより効率的でコ…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2Hは、750V G2カーバイドMOSFETで、高効率、高信頼性、モノゲート駆動を強力に防ぐ寄生導通特性を備えています。このMOSFETはトーテムポール、ANPC、Vienna整流器、およびFCCハードスイッチトポロジーにおいて優れた性能を提供します。技術仕様ですFETタイプ…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2Hは、インフィオンが発売したCoolSiC™シリーズの自動車向けカーバイドMOSFETで、750Vの第2世代製品で、q-dpakの上部放熱パッケージを採用しています。以下は、そのコアパラメータと適用シナリオです。FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCFET(炭化ケイ素)ですド…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBFはStrongIRFET™シリーズのHEXFETパワーMOSFETで、to-247パッケージを採用しています。以下はその主要なパラメータですFETタイプ:Nチャネルです技術:MOSFET(金属酸化物)ですドレインソース電圧(Vdss): 100 Vです25C時電流-連続ドレイン(Id): 25 a (Ta), 195A…連絡先電話:86-755-83294757
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