CGH40006S - GaN HEMT – 窒化ガリウムトランジスタ

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画像はご参考までに、製品仕様を参照してください

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商品型番:CGH40006S

商品名称:GaN HEMT

ブランド:MACOM

年:24+

パッヶージ:QFN-6

納期:真新しいオリジナル

在庫数量:3000 件

数量:

引合

オンライン引合

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連絡先電話:

会社名:

技術パラメータ

メーカー

MACOM

モデル

CGH40006S

パッヶージ

QFN-6

説明

トランジスターGaN HEMT dc-6.0 GHz, 6 Wです

製品の説明

CGH40006Sは、6W窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。CGH40006は28Vの電圧で働きます;一般的なものを提供しています無線周波数およびマイクロ波アプリケーションの広帯域ソリューションの様々なです。GaN HEMTは高効率を提供します。高利得と広帯域の能力です;CGH40006は線形かつ圧縮増幅器に最適です。

スペックです

トランジスタタイプはHEMTです

技術:GaNです

動作周波数:2 ~ 6 GHzです。

ゲイン:13 dBです

トランジスタの極性はn-channelです

Vdsドレインソース破壊電圧:120 Vです

vgs-ゲートソースが電圧を貫通します:- 10 V to 2 V

Id-連続ドレイン電流750 mAです

出力:6.9 Wです。

最大ドレイン/ゲート電圧:-です。

最小動作温度は- 40℃です。

最大動作温度:+ 150°Cです。

Pd-パワー散逸です:-

インストールスタイル:SMD/SMTです。

パッケージ:qfn-6です。

応用:-です。

構成:シングルです

開発キット:cgh40006s-kitです

高さ:1 mmです。

長さ:3.15 mmです。

湿度感度:Yesです

製品:GaN HEMTsです

製品タイプ:RF JFET Transistorsです

典型的なダウン遅延時間:-です。

Vgs th-ゲートソース阈値電圧:- 3 Vです。

幅:3.15 mmです。

単位重量:2.898 gです

よくある質問

1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
2.会社の商品はすべて本物ですか?

答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
6.会社は領収書を発行できますか?

答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。