CGHV27060MP - GaN HEMT – 窒化ガリウムトランジスタ

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画像はご参考までに、製品仕様を参照してください

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商品型番:CGHV27060MP

商品名称:GaN HEMT

ブランド:MACOM

年:24+

パッヶージ:QSOP-20

納期:真新しいオリジナル

在庫数量:3000 件

数量:

引合

オンライン引合

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連絡先電話:

会社名:

技術パラメータ

メーカー

MACOM

モデル

CGHV27060MP

パッヶージ

QSOP-20

説明

60 Wです;DCから2700MHzです50 Vです。LTEやパルスレーダー向けのGaN HEMTです

製品の説明

CGHV27060MPは、60 Wの窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。プラスチックSMTパッケージ4.4mmx 6.5mmです。トランジスタは広帯域デバイスであり、内部入力や出力が一致しません。これにより、UHFから2.7 GHzまでの幅広い周波数帯域に柔軟性を持たせることができます。

CGHV27060MPは超高週波パルスの応用の優秀なトランジスタです;lバンドまたは低Sバンド(< 2.7 GHz)です。またです;このトランジスタは、クラスA/Bなどの高効率トポロジにおける、平均電力が10 ~ 15wのLTEマイクロ基地局増幅器に非常に適しています。ドハティ増幅器です

スペックです

トランジスタタイプはHEMTです

技術:GaNです

動作周波数:2.7 GHzです

ゲイン18.5 dBです

トランジスタの極性はn-channelです

Vds-ドレイン・ソース・パンクオーバー電圧:150 Vです

vgs-ゲートソースが電圧を貫通します:- 10 V to 2 V

Id-連続ドレイン電流:6.3 Aです

出力:60 Wです。

最大ドレイン/ゲート電圧:-です。

Pd-パワー散逸です:-

インストールスタイル:SMD/SMTです。

パッケージ:qsop-20です

応用:-です。

カテゴリー:-です

構成:シングルです

順方向クロスガイド-最小値:-です

ブレーキ/ソースオフ電圧:-です

湿度感度:Yesです

NF—ノイズ係数:-です

働作温度範囲:- 40°C to +90°Cです。

P1dB -圧縮点:-です

製品タイプ:RF JFET Transistorsです

Rds On-ドレインソースオン抵抗:-です

Vgs th-ゲートソース阈値電圧:- 3 Vです。

単位重量:241.200 mgです

よくある質問

1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
2.会社の商品はすべて本物ですか?

答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
6.会社は領収書を発行できますか?

答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。