この5.4W非対称ドハティGaN RFパワーアンプは、3400~4000MHzの周波数帯域で動作し、広い瞬時帯域幅を必要とするモバイル基地局アプリケーション向けに設計されています。
この部品の特性および性能は、3400~4000MHz帯で動作するアプリケーションに適しています。 この範囲を超えるアプリケーションに使用した場合、性能は保証できません。
特性
優れた広帯域性能をサポートする高い終端インピーダンス
次世代信号の改良により、誤差ベクトルの大きさを線形化
非常に高い出力VSWRと広帯域動作条件に耐える
複雑でないデジタル線形化システムに最適
5G基地局mMIMOアクティブ・アンテナ・システムに最適化
RoHS対応
A5G38H045NT4 製品属性:
技術: GaN Si
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧:125 V
動作周波数: 3.4 GHz~4 GHz
利得:15.1 dB
出力電力:5.4 W
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: DFN-6
チャンネル数: 2チャンネル
シリーズ: A5G38H045N
Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 16 V
Vgs th-ゲート-ソース間スレッショルド電圧: - 2.4 V
モデル
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