A5G37H110NT4 この13.5W非対称ドハティRFパワーGaNアンプは、3600~3800MHzの周波数範囲で非常に広い瞬時帯域幅能力を必要とするセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。
このデバイスは、3600~3800MHz帯で動作するアプリケーション向けに特性評価され、性能が保証されています。 これらの周波数範囲外のアプリケーションで使用する場合、性能は保証されません。
特長と利点
- 最適な広帯域性能のための高い終端インピーダンス
- 次世代信号を使用したエラーベクトル振幅の線形化の改善
- 非常に高い出力VSWRと広帯域動作条件に耐えることが可能
- 低複雑度の線形化システム用に設計
- 5G基地局向けマッシブMIMOアクティブ・アンテナ・システムに最適化
製品特性
テクノロジー:GaN Si
Id-連続ドレイン電流:8.7 mA
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧:125 V
動作周波数:3.6GHz~3.8GHz
利得:15.3 dB
出力電力:13.5 W
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: DFN-6
チャンネル数: 2チャンネル
シリーズ: A5G37H110N
Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 16 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: - 3 V
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