MASTERGAN1TR GaNハーフブリッジ高圧ドライバは、ゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタをハーフブリッジ構成に統合した高出力密度電源を採用しています。集積式の出力(トコクトン器具が150 mオメガrds漏源を贯(on)と650 vに対応。一体型ブートストラップダイオードは、埋め込みゲートドライブの上部に素早く電力を供給できます。
製品の属性。
出力仕様:ハーフブリッジです
応用:汎用です
インターフェイス:-です
負荷タイプ:許容性、感性です
技術:DMOSです
オン抵抗(代表値):150ミリリットルです
電流-出力/チャンネル:10Aです
電流-ピーク出力17Aです
電圧-給電:4.75V ~ 9.5Vです。
電圧-負荷:600V(最大)です。
動作温度:-40℃~ 150℃(TJ)です。
特徴:ブートストラップ回路です
故障保護:超温,UVLOです
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ケース:31-VQFNむき出しパッドです。
サプライズデバイス実装:31-QFN (9x9)です。
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