商品名称:NTMFS5C612NT1G-TE
データマニュアル:NTMFS5C612NT1G-TE.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:5-DFN
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
5-DFNパッケージNTMFS 5 C 612 NT 1 G-TE Nチャネル60 VシングルMOSFETトランジスタ
製品の説明
300 nCに近い等価競合デバイスと比較して、NTMFS 5 C 612 NT 1 G−TEは200 nCのゲート電荷(Qg)を実現した。低Qgは高速切り替え、高出力再生可能エネルギー応用において高効率を実現するために重要である。
製品のプロパティ
トランジスタ極性:Nチャネル
チャネル数:1チャネル
Vds-ドレイン-ソース破壊電圧:60 V
Id-連続ドレイン電流:235 A
Rds On-ドレイン-ソース抵抗:1.5ミリオーム
Vgs-ゲート-ソース電圧:-20 V,+20 V
Vgs th-ゲート-ソース閾値電圧:1.2 V
Qg-ゲート電荷:91 nC
最低動作温度:-55℃
最高動作温度:+175℃
Pd-消費電力:3.8 W
チャネルモードちゃんねるもーど:拡張きょうか
特徴
敷地面積が小さく(5 x 6 mm)、コンパクトな設計
伝導損失を最小限に抑えるための低RDS(オープン)
低QGと静電容量、ドライバ損失を最小限に抑える
NTMFS 5 C 612 NWFT 1 G−光学的検出を強化するための濡れ可能側面オプション
これらの設備は鉛を含まず、RoHS規格に準拠している
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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