FCPF190N60 - 600V、199mΩ SUPERFET® II NチャンネルパワーMOSFETトランジスタ
部品番号 FCPF190N60
パッケージ TO-220-3
タイプ MOSFETトランジスタ
説明 パワーMOSFET、Nチャンネル、SUPERFET® II、600V、199mΩ、TO-220F
製品概要
FCPF190N60 - SuperFET®II MOSFETはまったく新しい高電圧スーパージャンクションMOSFETファミリで、卓越した低オン抵抗と低ゲートチャージを実現する高度なチャージバランス技術を利用しています。この先進的なMOSFETは、伝導損失を最小限に抑えるだけでなく、優れたスイッチング性能を達成するよう調整されています。これらの利点に加え、従来の超接合MOSFETよりも極めて高いdv/dtレートと大きなアバランシェ・エネルギーを提供します。SuperFET II MOSFETは、システムの小型化と高効率化を目指す様々なスイッチング電源アプリケーションに適しています。
製品の特長
650V @TJ = 150°C
最大 RDS(on) = 199mΩ
超低ゲートチャージ ( Typ. Qg = 57nC )
低実効出力容量 ( Typ. Coss.eff = 160pF )
100%アバランシェ試験済み
用途
LCD/ LED/ PDP TV照明
ソーラーインバータ
AC-DC電源
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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