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LMG341xR150 GaN パワー ステージは、ドライバと保護機能を内蔵しているため、設計者はパワー エレクトロニクス システムでより高いレベルの電力密度と効率を実現できます。シリコン MOSFET に対する LMG341x 固有の利点には、超低入力および出力容量値、スイッチング損失を 80% 削減するゼロ逆回復、および EMI を削減する低スイッチ ノード リンギングが含まれます。これらの利点により、トーテムポール PFC などの高密度で効率的なトポロジが可能になります。

LMG341xR150 は、設計を簡素化し、信頼性を最大化し、あらゆる電源の性能を最適化する独自の機能セットを統合することにより、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わるスマートな代替品を提供します。内蔵ゲート ドライバは 100V/ns のスイッチング (ほぼゼロの Vds リンギング) をサポートし、サブ 100ns の電流制限は偶発的なシュートスルー イベントから自身を保護し、サーマル シャットダウンは熱暴走を防止し、システム インターフェイス信号は自己監視を提供します。

特性

• TI の GaN プロセスは、実世界のハード スイッチング ミッション プロファイルの信頼性に関する加速テストに合格しています。

• 高密度の電力変換設計をサポート

カスケードまたはスタンドアロンの GaN FET と比較して優れたシステム性能

低インダクタンスの 8mm x 8mm QFN パッケージにより、設計とレイアウトを簡素化

調整可能なドライブ強度により、スイッチング性能と EMI 制御が保証されます

デジタル障害ステータス出力信号

+12Vの非安定化電源のみが必要

•統合ゲートドライバ

ゼロ共通ソース インダクタンス

20ns の伝播遅延により、MHz レベルの動作が保証されます

プロセス調整されたゲートバイアス電圧により信頼性を確保

25V/ns～100V/nsのユーザー調整可能なスルーレート

サイクルごとの過電流保護

• 強力な保護

外部保護部品は不要

過電流保護、応答時間 100ns 未満

150V/nsを超えるスルーレート耐性

過渡過電圧耐性

過熱保護

すべての電源レールの UVLO 保護

• デバイス オプション:

LMG3410R150: ラッチ過電流保護

LMG3411R150: サイクルごとの過電流保護

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。