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LMG342xR030 GaN FET は、ドライバと保護機能が統合されているため、設計者はパワー エレクトロニクス システムでより高いレベルの電力密度と効率を実現できます。

LMG342xR030 には、最大 150 V/ns のスイッチング速度を可能にするシリコン ドライバが組み込まれています。 TI の統合高精度ゲート バイアスにより、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より高いスイッチング SOA が可能になります。この統合機能を TI の低インダクタンス パッケージング技術と組み合わせることで、ハード スイッチ電源トポロジーでクリーンなスイッチングと超低リンギングを実現します。調整可能なゲート駆動強度により、20 V/ns ～ 150 V/ns のスルー レート制御が可能になり、EMI をアクティブに制御し、スイッチング性能を最適化するために使用できます。 LMG3425R030 には、適応デッドタイム制御を有効にすることで第 3 象限損失を低減する理想ダイオード モードが含まれています。

高度な電源管理機能には、デジタル温度レポートと障害検出が含まれます。 GaN FETの温度は、可変デューティ・サイクルのPWM出力を通じて報告されるため、デバイスの負荷管理が簡素化されます。報告される障害には、過熱、過電流、および UVLO の監視が含まれます。

特性

• ハード スイッチング トポロジの JEDEC JEP180 に準拠

• 統合ゲート ドライバを備えた 600 V GaN-on-Si FET

高精度ゲートバイアス電圧を内蔵

200V/nsのCMTI

2.2MHzのスイッチング周波数

最適化されたスイッチング性能と EMI 軽減のための 30 V/ns ～ 150 V/ns スルーレート

7.5V～18Vの電源で動作

• 強力な保護

100 ns 未満の応答時間でのサイクルごとの過電流およびラッチ式短絡保護

ハードスイッチング時の 720V サージに耐える

内部過熱および UVLO 監視に対する自己保護

• 高度な電源管理

デジタル温度 PWM 出力

理想ダイオード モードにより LMG3425R030 の第 3 象限損失を低減

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。