NTMFSC006N12MCデュアルCool™NチャネルパワーMOSFETは、Power Trench®プロセスと両面冷却パッケージを採用しています。このパワーMOSFETは、超低RDS (ON)、120Vドレイン-ソース電圧、±20Vゲート-ソース電圧、そして150°Cの最高働作結温/保存温度を持っています。代表的な用途としては、交流-直流商用電源、一次側直流-直流FET、同期整流器、直流-直流変換などがあります。
製品の属性。
技術:MOSFET(金属酸化物)です
スペック:Nトレンチ2個です
FET機能:-です
ドレインソース電圧(Vdss): 120Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 14A (Ta), 92A (Tc)
Id、Vgsが異なる場合のオン抵抗(最大値):-です。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4V @ 250µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):39nC @ 10Vです。
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):3040pF @ 60Vです。
電力-最大値:2.7W (Ta), 104W (Tc)です。
動作温度:150°C (TJ)です
レベル:-です。
資質です:-
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ハウジング:8-PowerVDFNです
ベンダーパッケージ:8-DFN (5 x615)です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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