商品名称:NVMFD5C680NLT1G
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:8-DFN
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
NVMFD5C680NLT1GパワーMOSFETはaec-q101規格と生産件承認手続き(PPAP)に準拠しており、自働車用途に適しています。このMOSFETは、低オン抵抗でオン損失を最小限に抑え、ゲート全体電荷(QG)が低く、低キャパシタでドライブ損失を最小限に抑えます。これらのパワーMOSFETは100%雪崩テストされ、強化された光学検査のためのウェットサイドオプションを備えています。
製品の属性。
技術:MOSFET(金属酸化物)です
構成:2 n-チャンネル(ダブル)です。
FET機能:-です
リークソース電圧(Vdss): 60Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc)
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):28ミリオ@ 5A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):2.2V @ 13µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):2nC @ 4.5Vです。
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):350pF @ 25Vです。
最大出力:3W (Ta), 19W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
レベル:自動車レベルです
資質:aec-q101です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ケース:8-PowerTDFNです。
ベンダーパッケージ:8-DFN (5x6)ダブルマーカー(SO8FL-ダブルチャネル)です。
基本品番:NVMFD5です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
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答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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