商品名称:LMG1210RVRR
データマニュアル:LMG1210RVRR.pdf
ブランド:TI
年:23+
パッヶージ:WQFN-19
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:8000 件
LMG1210RVRRは、超高周波と高効率を必要とするアプリケーション向けに開発された200VハーフブリッジMOSFETおよび窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)ドライバで、調整可能なデッドタイム機能、非常に短い伝搬遅延、システム効率を最適化する3.4nsハイサイド/ローサイド・マッチングを備えています。 また、電源電圧に依存しない5Vのゲート駆動電圧を保証するLDOを内蔵しています。
製品の特徴
- 動作周波数最大50MHz
- 10ns標準伝搬遅延
- 3.4nsのハイサイドからローサイドへの整合
- 最小パルス幅4ns
- 2種類の制御入力オプション
- デッドタイム調整可能なシングルPWM入力
- 独立入力モード
- ピークプル電流1.5A、ピークシンク電流3A
- 柔軟性のための外部ブートストラップ・ダイオード
- 電圧レールに適応する内部LDO
- 高300V/ns CMTI
- 1pF未満のHO/LO間容量
- UVLOおよび熱保護
- 低インダクタンスWQFNパッケージ
製品用途
- 高速DC/DCコンバータ
- RFパッケージトラッキング
- D級オーディオ・アンプ
- クラスEワイヤレス充電
- 高精度モーター制御
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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