商品名称:MT53E768M64D4HJ-046 WT:C
データマニュアル:MT53E768M64D4HJ-046 WT:C.pdf
ブランド:Micron
年:23+
パッヶージ:556-TFBGA
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
mt53e768m64d4hj-046 WT:C低VDDQの6GBモバイル低消費電力LPDDR4 DRAMは、高速CMOSダイナミックランダムアクセスメモリです。内部は1チャネル×16 I/Oで、8個のメモリを備えています。556-TFBGAピンパッケージを採用し、動作温度は- 25°から+85°の範囲です。
特性です:
超低電圧コアとI/O電源です
—VDD1=1.70—1.95V 1.80V公称値です
—VDD2=1.06—1.17V 1.10V公称値です
—VDDQ=0.57—0.65V 0.60VまたはVDDQ=1.06—1.17V 1.10Vです。
・周波数レンジです
—2133—10 MHz(各ピンのデータレート範囲:4266—20Mb/s)です。
・16NプリフェッチDDRアーキテクチャです
・1チャンネルあたり8つの内部ストレージを並列に運用しています
・シングルデータレートCMD/ADR入力です
・バイトチャネルごとの双方向/差分データパス
・プログラマブル読み書き遅延(RL/WL)です
・プログラマブルおよびバースト長さ(BL=16、32)
・記憶体の向きによってリフレッシュすることで、並列記憶体操を実現し、コマンドのスケジューリングを簡素化します。
・x16チャンネルあたり8.5 GB/sです
・シート内温度センサーがセルフリフレッシュ速度を制御します。
・部分的アレイ自己リフレッシュ(PASR)
・オプション出力駆動強度(DS)です。
・時計停止機能です
・RoHS規格に準拠した「グリーン」パッケージです
・プログラマブルVSS (ODT)終端です
・シングルエンドCKとDQS対応です
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
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