商品名称:DRAMメモリ
ブランド:Alliance
年:24+
パッヶージ:FBGA-96
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
AS4C512M16MD4V-053BIN は 8Gb 512M x 16 bit DRAM LPDDR4X メモリです。
AS4C512M16MD4V-053BINの特長
ダブルデータレートアーキテクチャ:1クロックサイクルに2回のデータ転送
双方向データストローブ(DQS_t、DQS_c)、これらはレシーバでデータをキャプチャするために使用されるデータで送受信されます。
差動クロック入力(CK_t、CK_c)
差動データ・ストローブ(DQS_tおよびDQS_c)
コマンドとアドレスは正のCKエッジに入力;データとデータ・マスクはDQSの両エッジを参照
各チャンネルに8つの内部バンク
DMI端子:DBI(データバス反転):通常の書き込みおよび読み出し動作時、データマスク(DM):DBIオフ時のマスクされた書き込み時 DQのカウント#1:DBIオン時のマスクされた書き込み時
バースト長:16、32(OTF)
バーストタイプ シーケンシャル
リード&ライトレイテンシ: LPDDR4x ACタイミング・テーブルを参照。
各バースト・アクセスに対するオート・プリチャージ・オプション
設定可能なドライブ強度
リフレッシュおよびセルフ・リフレッシュ・モード
部分アレイ・セルフ・リフレッシュおよび温度補償セルフ・リフレッシュ
書き込みレベリング
CAキャリブレーション
内部VREFおよびVREFトレーニング
FIFOベースの書き込み/読み出しトレーニング
MPC(多目的コマンド)
LVSTLE(低電圧スイング終端ロジック拡張)IO
VDD1/VDD2/VDDQ : 1.8V/1.1V/0.6V
VSSQ終端
DLLなし:CKとDQSは同期していない
エッジアライメントデータ出力、データ入力センターアライメント用ライトトレーニング
リフレッシュレート:3.9us
モデル
ブランド
パッヶージ
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答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
Alliance Memoryは、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、HynixなどのSRAM、DRAM、NOR FLASH IC製品の直接代替品として使用されるレガシーおよび新技術メモリ製品の世界的なファブレスメーカーです。 同社のポートフォリオには、主要なデジタル・シグナル・プロセッサ…
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AS9F32G08SA-25BIN - 2Gビット、x8ビット、3.3V SLCパラレルNANDフラッシュメモリAS9F32G08SA-25BIN - 製品属性: メモリタイプ メモリタイプ:不揮発性メモリフォーマット フラッシュテクノロジー フラッシュ - ナンド(SLC)メモリサイズ: 4Gbitメモリ構成 512M x 8メ…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gビット、x8ビット、3.3V SLCパラレルNANDフラッシュメモリAS9F31G08SA-25BIN - 製品の説明:AS9F31G08SA-25BINはSLCパラレルNANDフラッシュメモリで、3.3V Vcc電源、x8 I/Oインターフェースで提供されます。そのNANDセルは、ソリッドステート大容量…AS6C1616C-45TINTR
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