商品名称:AOZ5616BQI
データマニュアル:AOZ5616BQI.pdf
ブランド:AOS
年:23+
パッヶージ:31-QFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
AOZ5616BQIは、2つの非対称MOSFETと統合ドライバで構成される高効率同期降圧パワー段モジュールです。MOSFETは、同期降圧構成での動作用に個別に最適化されています。 高電圧側MOSFETは、低容量と低ゲートチャージに最適化されており、高速スイッチングと低デューティサイクルの高速スイッチングを実現します。 ローサイドMOSFETは超低オン抵抗で、伝導損失を最小限に抑えます。 PWM入力により、パワーMOSFETのスイッチング動作を正確に制御できます。
製品の特長
出力構成:ハーフブリッジ
アプリケーション: 降圧同期コンバータ
インターフェース:PWM
負荷タイプ:インダクタ、コンデンサ
技術: DrMOS
電流 - 出力/チャンネル: 55A
電流 - ピーク出力: 120A
電圧 - 供給: 4.5V〜5.5V
電圧-負荷: 4.5V〜25V
動作温度: -40°C ~ 150°C (TJ)
機能: スタートアップ回路、ダイオードエミュレーション、ステータスフラグ
故障保護:過熱、ブレークダウン、UVLO
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 31-PowerVFQFNモジュール
31ピンQFN (5x5)を含む
アプリケーション
● メモリおよびグラフィックスカード
● マザーボードVRM
● 負荷ポイントDC/DCコンバータ
● ビデオゲーム機
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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