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UG3SC120009K4S炭化ケイ素電界効果トランジスタ・デバイスは、ユニークな「カスケード」回路構成を特徴としています。 このデバイスは、ノーマリーオープンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージし、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを製造するユニークな「カスケード」回路構成を特徴としています。 このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBTの真の「直接代替」となります。 TO-247-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を特長とし、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

製品特性

トランジスタタイプ： Nチャンネル

技術：SiCFET（コモンソース・コモンゲートSiCJFET）

ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：1200 В

25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 120A（Tc）

電源電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）： 12 Ω： 12 В

異なるIdでのスイッチング抵抗、Vgs（最大）： 11 mΩ@100A、12V

異なるIdにおけるVgs（th）（最大）： 6V @ 10mA

ゲート電荷量（Qg）（Vgs（最大）別）： 234 nK @ 15V

Vgs（最大）：±20V

入力キャパシタンス（Ciss）： Vds（最大）変化時 8512 pF @ 100 V

許容損失（最大）: 789 W (Tc): 789 W (Tc).

動作温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

実装タイプ：スルーホール

納入範囲： TO-247-4

パッケージ/ハウジング: TO-247-4

用途

● 電気自動車充電

● 太陽光発電インバータ

● スイッチング電源

● 力率改善モジュール

● モータードライブ

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

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  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。