商品名称:UF3C120150B7S
データマニュアル:UF3C120150B7S.pdf
ブランド:Qorvo
年:23+
パッヶージ:D2PAK-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
UF3C120150B7S炭化ケイ素電界効果トランジスタ・デバイスは、ユニークな「カスケード」回路構成を特徴としています。 このデバイスは、ノーマリーオープンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージし、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを製造するユニークな「カスケード」回路構成を特長としています。 このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBTの真の「直接代替品」となります。 D2 PAK-7Lパッケージ、超低ゲートチャージ、優れた逆回復特性により、誘導負荷のスイッチングや標準ゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。
製品特性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(コモンソース・コモンゲートSiCJFET)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):17A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 180 mΩ@5A、12V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大):5.5V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時:25.7nC@12V
Vgs(最大):±25V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 738 pF @ 100 V
許容損失(最大): 136W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: D2PAK-7
パッケージ/ケース:TO-263-8、D²Pak(7リード+タブ)、TO-263CA
アプリケーション
● テレコムおよびサーバー用電源
● 産業用電源
● 力率改善モジュール
● モータードライブ
● 誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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