商品名称:UF4C120053K3S
データマニュアル:UF4C120053K3S.pdf
ブランド:Qorvo
年:23+
パッヶージ:TO-247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
UF4C120053K3Sは、ユニークな「カスケード」回路構成の1200V、53mW G4 SiC FETです。 Si MOSFETとのコ・パッケージにより、ノーマリー・オフのSiC FETデバイスとなります。 このデバイスの標準的なゲート駆動特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクション・デバイスの真の「プラグ・アンド・プレイ置き換え」を可能にします。 TO-247-3Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を特長とし、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(コモンソース・コモンゲートSiCJFET)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):34A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 67 mOhm @ 20A、12V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 6V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時: 37.8 nC @ 15 V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 1370 pF @ 800 V
許容損失(最大): 263W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: TO-247-3
パッケージ/ケース: TO-247-3
アプリケーション
● 車載充電器
● 産業用バッテリー充電器
● 太陽光発電のPFC
● 産業用電源
● 溶接機
● 無停電電源装置(UPS)
● 誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
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