商品名称:UJ4SC075009B7S
データマニュアル:UJ4SC075009B7S.pdf
ブランド:Qorvo
年:23+
パッヶージ:D2PAK-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
QorvoのUJ4SC075009B7Sは、750V、9mΩの第4世代SiC FETで、ノーマルオープンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージしてノーマルクローズのSiC FETデバイスを作るというユニークなカスケード回路構成に基づいています。 このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、市販のゲート・ドライバを使用できるため、Si IGBT、Siスーパージャンクション・デバイス、またはSiC MOSFETと置き換える場合、最小限の再設計で済みます。 D2PAK-7Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を特長とし、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。
特性
オン抵抗 (RDS(on)): 9 mΩ (代表値)
最高動作温度 175
優れた逆回復:Qrr = 338 nC
低ボディ・ダイオードVFSD: 1.1 V
低ゲート電荷: QG = 75 nC
スレッショルド電圧 VG(th):4.5V(代表値)、0~15Vの駆動電圧が可能
用途
電気自動車充電
太陽光発電インバーター
スイッチモード電源
力率改善モジュール
モータードライバー
誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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