商品名称:NTTFD021N08C
データマニュアル:
NTTFD021N08C.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:12-WQFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:10 件
NTTFD021N08Cは、2つの専用NチャネルMOSFETを内蔵したデュアルパッケージで提供されます。スイッチングノードは内部で接続されており、同期降圧コンバータの配置や配線が容易です。 同期降圧コンバータの配置と配線。 制御MOSFET（Q2）と同期MOSFET（Q1）は、最適な電力効率を提供するように設計されています。
製品特性
技術： MOSFET（酸化金属）
構成：2 Nチャンネル（デュアル・チャンネル）
ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：80 В
25℃における連続ドレイン電流（Id）： 6A（Ta）, 24A（Tc）
異なるId、Vgsにおけるスイッチング抵抗（最大）： 21ミリオーム@7.8A、10V
異なるIdでのVgs(th)（最大）： 4V @ 44µA
ゲート電荷（Qg）＠Vgs（最大）：8.4nC＠10V
入力キャパシタンス（Ciss）＠Vds（最大）： 572pF @ 40V 572pF @ 40V
消費電力（最大）：1.7W（Ta）、26W（Tc
動作温度： -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ：面実装
パッケージ/ケース: 12-PowerWQFN
配達内容：12ピンWQFN（3.3x3.3）
アプリケーション
● コンピューティング
● 通信
● 汎用ロードポイント
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 337A（Tc）、317A（Tc） 1.492kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 472A（Tc）、442A（Tc） 1.846kW（Tc）、1.161kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 124A（Tc）、89A（Tc） 602W（Tc）、395W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 317A（Tc）、227A（Tc） 1.253kW（Tc）、613W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 89A（Tc）、124A（Tc） 395W（Tc）、365W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A（Tc）、110A（Tc） 141W（Tc）、292W（Tc） シャーシ実装
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