商品名称:NVBLS1D1N08H
データマニュアル:NVBLS1D1N08H.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:8-PowerSFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NVBLS1D1N08H MOSFETは、低最大オン抵抗(RDS(ON))、超低ゲートチャージ(Qg)、および電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの重要な品質係数(FOM)である低(Qg)×RDS(ON)を特長としています。 T6技術に基づく最適化されたスイッチング性能が特長で、Trench6ファミリと比較してQgとQossが35%~40%低減されています。 オン・セミコンダクターのTrench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるためにさまざまなパッケージ・タイプで入手できます。
製品特性
FETタイプ:Nチャネル
技術:MOSFET(金属酸化物) MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):80 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):41A(Ta)、351A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10 V 10 V
異なるIdでのオン抵抗、Vgs(最大):1.05 mOhm @ 0.5 Vgs:1.05 mOhm @ 50A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 4V @ 650µA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):166nC@10V 166nC@10V
Vgs (最大): ±20V ±20V
入力キャパシタンス(Ciss)/Vds(最大): 11200 pF @ 40 V
許容損失(最大): 4.2W(Ta 4.2W(Ta)、311W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード 車載グレード
認証:AEC-Q101 AEC-Q101
実装タイプ 表面実装
サプライヤー機器パッケージ: 8-HPSOF
パッケージ/ケース: 8-PowerSFN
用途
● 電動工具、バッテリー駆動式フーバー
● ドローン/UAV、マテリアルハンドリング
● BMS/ストレージ、ホームオートメーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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