商品名称:NXV08H350XT1
データマニュアル:
NXV08H350XT1.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:17-PowerDIP
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
NXV08H350XT1はデュアルハーフブリッジ80V車パワーMOSFETモジュールで、温度検出と最低熱抵抗を備えており、48Vマイルドハイブリッド車に適しています。
スペックです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
FET機能:-です
ドレインソース電圧(Vdss): 80Vです。
25°Cで電流-連続ドレイン(Id): -です
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):0.762ミリオ@ 160A, 12Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4.6V @ 1mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):320nC @ 10Vです。
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):24350pF @ 40Vです。
パワー-最大値:-です
動作温度は-40℃~ 125℃です。
レベル:自動車レベルです
資質:aec-q101です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ケース:17-PowerDIPモジュール(1.390",35.30mm)です
サプライヤーデバイスパッケージ:apm17-mdcです
基本品番:NXV08です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 337A（Tc）、317A（Tc） 1.492kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 472A（Tc）、442A（Tc） 1.846kW（Tc）、1.161kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 124A（Tc）、89A（Tc） 602W（Tc）、395W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 317A（Tc）、227A（Tc） 1.253kW（Tc）、613W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 89A（Tc）、124A（Tc） 395W（Tc）、365W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A（Tc）、110A（Tc） 141W（Tc）、292W（Tc） シャーシ実装
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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