商品名称:PSMN4R8-100BSE
データマニュアル:PSMN4R8-100BSE.pdf
ブランド:NXP
年:21+
パッヶージ:TO-263
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:10000 件
説明: 面実装 Nチャンネル 100 V 120A(Tj) 405W(Tc) D2PAK
製品特性
カテゴリ ディスクリート半導体 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー Nexperia USA Inc.
シリーズ -
包装テープ&リール(TR) カットテープ(CT)
FET型Nチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 100 V
25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 120A (Tj)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 10V
さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 4.8 ミリオーム @ 25A、10V
異なる Id での Vgs(th) (最大) 4V @ 1mA
さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 278 nC @ 10 V
Vgs (最大) ±20V
Vds での入力容量 (Ciss) (最大) 14400 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力 (最大) 405W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ 表面実装
ベンダー デバイス パッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak (2 リード + タブ)、TO-263AB
ベース製品番号 PSMN4R8
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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