商品名称:IPD65R660CFDA
データマニュアル:IPD65R660CFDA.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:PG-TO252-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IPD65R660CFDAパワー・トランジスタは、インフィニオン・テクノロジーズが開拓したスーパージャンクション(SJ)原理に基づいて設計された、高電圧パワーMOSFET用の画期的なCoolMOS™技術を搭載しています。CoolMOS™ C6およびE6シリーズ・パワー・トランジスタは、SJ MOSFETの主要サプライヤの業界経験と高度な技術革新を組み合わせたものです。使いやすさを犠牲にすることなく、高速スイッチングSJ MOSFETのあらゆる利点を提供します。
製品特性
トランジスタ・タイプ: Nチャンネル・トランジスタ
技術:MOSFET(酸化金属)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):650 В
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 6A(Tc)
電源電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10 Ω: 10 В
異なるId、Vgsでのスイッチング抵抗(最大): 3.22 A、10 Vで660 mΩ
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4.5 V @ 214.55 µA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs max 20 nK at 10 V
Vgs (max): ±20 V
入力キャパシタンス(Ciss): Vds(最大)別 543 pF @ 100 V
許容損失(最大): 62.5 W(Tc) 62.5 W(Tc)
動作温度: -40°C ~ 150°C (TJ)
カテゴリー:オートモーティブ
認定: AEC-Q101
実装タイプ: 表面実装
製品範囲: PG-TO252-3
パッケージ/ケース:TO-252-3、DPak(2ピン+クラッド)、SC-63
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