商品名称:ISO5452QDWRQ1
データマニュアル:ISO5452QDWRQ1.pdf
ブランド:TI
年:23+
パッヶージ:SOIC-16
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:27540 件
ISO5452QDWRQ1は,IGBTおよびMOSFET用の5.7 kVRMS強化絶縁ゲートドライバで,個別の出力(OUTHとOUTL)を持ち,2.5Aのプル電流能力と5Aのフィル電流能力を有しています。 入力は2.25Vから5.5Vの単一電源で動作します。 2つの相補的なCMOS入力がゲートドライバの出力状態を制御し、76nsという短い伝搬時間によって出力段を正確に制御することができます。
特徴
- カーエレクトロニクス用途に適する
- AEC-Q100に準拠した以下の結果で:
- デバイス温度レベル1:-40℃~125℃周囲動作温度範囲
- デバイス・ボディ・モデル(HBM)分類レベル3A
- デバイス チャージデバイスモデル(CDM)分類レベルC6
- コモンモード過渡耐性(CMTI)最小50kV/μs、標準100kV/μs(VCM = 1500Vの場合)
- 2.5Aピークプル電流用と5Aピークフィル電流用の別出力
- 短伝搬遅延:76ns(標準)、110ns(最大)
- 2Aアクティブミラークランプ
- 出力短絡クランプ
- ショート時のソフトシャットダウン(STO)
- 脱飽和故障の検出時にFLTで故障アラーム、RSTでリセット。
- レディ(RDY)端子表示付き入出力低電圧ロックアウト(UVLO)
- アクティブ出力プルダウン機能、低電源または入力オーバーハング時にデフォルトで出力Lowになります。
- 2.25V~5.5V 入力電源電圧
- 15V〜30V出力ドライバ電源電圧
- CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)対応入力端子
- 20ns以下の入力パルスやトランジェントを抑制します。
- サージ絶縁耐圧10000VPKまで "
アプリケーション
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)および金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ドライバ:
- ハイブリッド車(HEV)、電気自動車(EV)用パワーモジュール
- 産業用モーターコントロールドライブ
- 産業用電源
- ソーラーインバーター
- 誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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