商品名称:IAUC120N06S5N011
データマニュアル:IAUC120N06S5N011.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:PG-TDSON-8-53
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IAUC120N06S5N011 60V MOSFET用の新しいOptiMOS™ 5テクノロジは、業界標準のシングルSS08(5x6mm2)小型フォーム・ファクタ・パッケージで最先端の性能を提供し、低RDSon、Qg、ゲート容量を実現し、伝導損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。
製品特性
FETタイプ: Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):60 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 310 A(Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7V、10V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):1.12 mOhm @ 60A、10V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 3.4V @ 130µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時:137 nC @ 10 V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 9822 pF @ 30 V
許容損失(最大): 188W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TDSON-8-53
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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