商品名称:IMZA65R072M1H
データマニュアル:IMZA65R072M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5800 件
IMZA65R072M1H CoolSiC™ MOSFET技術は、炭化ケイ素の強力な物理的特性を最大限に活用することにより、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさという独自の利点を高めています。
製品特性
ファミリー:CoolSiC™(クールシーク
パッケージ:チューブ
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(シリコンカーバイド)
ドレインソース電圧(Vdss):650V
25℃における連続ドレイン電流(Id):28A (Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):18V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):94ミリオーム@13.3A、18V
異なるIdのVgs(th)(最大):5.7V @ 4mA
異なるVgsでのゲート電荷(Qg)(最大):22 nC @ 18 V
Vgs(最大):+23V、-5V
異なるVdsにおける入力容量(Ciss)(最大): 744 pF @ 400 V
FETの機能: ・・・。
許容損失(最大): 96 W (Tc)
動作温度:-55℃~150℃(TJ)
取り付けタイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO247-4-3
パッケージ/ケース:TO-247-4
想定される用途
サーバー
テレコムシステム
エスエムピーエス
ソーラーエネルギーシステム
エネルギー貯蔵・電池情報
無停電電源装置
電気自動車用充電器
モータードライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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