商品名称:NTTFD9D0N06HLTWG
データマニュアル:
NTTFD9D0N06HLTWG.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:12-WQFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NTTFD9D0N06HLTWGは、2つの専用NチャネルMOSFETを内蔵したデュアルパッケージで提供されます。 スイッチングノードは内部で接続されており、同期降圧コンバータの配置や配線が容易になります。 制御MOSFET（Q2）と同期MOSFET（Q1）は、最適な電力効率を提供するように設計されています。
製品特性
技術： MOSFET（酸化金属）
構成： 2 Nチャンネル（デュアル）
ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：60V
25°Cでの連続ドレイン電流（Id）：9A（Ta）、38A（Tc）
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗（最大）： 9ミリオーム@10A、10V
異なるIdでのVgs(th)（最大）： 2V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）、Vgs変化時：13.5nC @ 10V
入力キャパシタンス（Ciss）（最大）： 948pF @ 30V
電力 - 最大：1.7W（Ta）、26W（Tc）
動作温度： -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ：面実装
パッケージ/ケース: 12-PowerWQFN
サプライヤーデバイスパッケージ: 12-WQFN (3.3x3.3)
アプリケーション
● コンピューティング
● 通信
● 汎用ポイント・オブ・ロード
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 337A（Tc）、317A（Tc） 1.492kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 472A（Tc）、442A（Tc） 1.846kW（Tc）、1.161kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 124A（Tc）、89A（Tc） 602W（Tc）、395W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 317A（Tc）、227A（Tc） 1.253kW（Tc）、613W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 89A（Tc）、124A（Tc） 395W（Tc）、365W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A（Tc）、110A（Tc） 141W（Tc）、292W（Tc） シャーシ実装
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