商品名称:NCV57530DWKR2G
データマニュアル:NCV57530DWKR2G.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:16-SOIC
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NCV57530DWKR2Gは、各出力と入力の間に5kVrmsの内部ガルバニック絶縁を持つ大電流、デュアル・チャンネル絶縁IGBTゲート・ドライバです。 2つの出力チャネルは互いに機能的に絶縁されています。 このデバイスは、入力で3.3V~20Vのバイアス電圧に対応し、信号レベル出力で最大32Vのバイアス電圧に対応します。 コンプリメンタリ入力に対応しています。 デッドタイム制御ピンがあり、システム設計が容易です。 このドライバは、CASE 752AJSOIC-16ワイドボディ・パッケージで提供され、チャネル間(ピン12と13)の絶縁が追加されています。
製品特性
技術:容量結合
チャンネル数:2
電圧-絶縁:5000Vrms
コモンモード過渡イミュニティ(最小):100kV/µs
伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):90ns、90ns
パルス幅歪(最大):20ns
立ち上がり/立ち下がり時間(標準):12ns、10ns
電流 - 出力ハイ、ロー: 6.5A、6.5A
電流 - ピーク出力: 6.5A
電圧 - 出力電源: 32V
グレード:オートモーティブ・グレード
認定: AEC-Q100
動作温度: -40°C ~ 125°C
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/シェル:16ピンSOIC(0.295インチ、7.50mm 幅)、14リード
サプライヤーデバイスパッケージ: 16-SOIC
認証機関: VDE
アプリケーション
● 電気自動車充電器
● モーター制御
● 無停電電源装置(UPS)
● 産業用電源
● ソーラーインバータ
● 自動車用アプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
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