商品名称:CAB320M17XM3
データマニュアル:CAB320M17XM3.pdf
ブランド:Wolfspeed
年:23+
パッヶージ:MODULE
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
Wolfspeed CAB320M17XM3ハーフブリッジモジュールは、スイッチング損失または伝導損失に最適化された第3世代MOSFET技術を使用した高電力密度フットプリントを特長としています。WolfspeedのXM3パワーモジュールプラットフォームは、モジュールとシステム設計を堅牢に保ちながら、炭化ケイ素の性能メリットを最大限に引き出します、 シンプルでコスト効率に優れています。
技術的特長
高電力密度フットプリント
高い接合部温度(175 °C)動作
低インダクタンス(6.7nH)設計
ウルフスピードの第3世代SiC MOSFET技術を採用
窒化シリコン絶縁体と銅基板
ドレイン-ソース間電圧1700 V
クロスピンゲート-ソース信号ピン配置
アプリケーション
エネルギー
医療用
モーターおよびモーション・コントロール
テストおよび製造装置
輸送
トラクション・コンバーター
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
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GTVA262701FA-V2-R2
GTVA262701FA-V2-R2は、マルチスタンダードセルラーパワーアンプアプリケーション向けの270W炭化ケイ素窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。CCB016M12GM3T
Wolfspeed WolfPACK™ GM3炭化ケイ素パワーモジュールは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、6ギャング(三相)構成があり、すべてプレコートされたハネウェルTM熱インターフェース材料(TIM)オプション付きです。 中電力(10kW~100kW超)設計に適したこれらのモジュールは…EAB450M12XM3
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CBB032M12FM3T 1200V、32mΩ、炭化ケイ素、フルブリッジモジュール。製品特性技術:炭化ケイ素(SiC) 構成:4 Nチャンネル(フルブリッジ) FET機能:炭化ケイ素(SiC) ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV) 25℃における連続ドレイン電流(Id): 39A(…CAB006A12GM3T
CAB006A12GM3T 1200 V、6 MΩ、炭化ケイ素、ハーフブリッジモジュール。製品特性技術:炭化ケイ素(SiC) 構成: 2 Nチャンネル(ハーフブリッジ) FET機能:炭化ケイ素(SiC) ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV) 25Cでの連続ドレイン電流(Id): 200A…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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