商品名称:NXH010P90MNF1PTG
データマニュアル:NXH010P90MNF1PTG.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:Module
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NXH010P90MNF1PTG SiCモジュールは、F1モジュールに10mΩ 900V SiC MOSFETハーフブリッジとNTCサーミスタを内蔵しています。 このモジュールの推奨ゲート電圧は15V~18Vで、高電圧でのRDS(ON)が改善され、熱抵抗が低くなっています。
製品特性
技術:炭化ケイ素(SiC)
構成:2 Nチャンネル(デュアル)コモンソース
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):900V
25℃における連続ドレイン電流(Id):154A(Tc)
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 14ミリオーム@100A、15V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4.3V @ 40mA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):546.4nC@15V
入力キャパシタンス(Ciss)@変動Vds(最大): 7007pF @ 450V
電力 - 最大: 328W(Tj)
動作温度: -40°C ~ 150°C (Tj)
実装タイプ:シャーシマウント
パッケージ/ケース: Module
アプリケーション
● ソーラーインバータ
● 無停電電源装置
● 電気自動車充電ステーション
● 産業用電源
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
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