商品名称:STL120N10F8
データマニュアル:STL120N10F8.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:8-PowerVDFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
STL120N10F8 Nチャンネル・エンハンスメント・モード標準グレード 100V、最大4.6mΩ、125A STripFET F8パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6パッケージ)。
このNチャネル・パワーMOSFETは、STripFET F8技術を使用したエンハンスド・トレンチ・ゲート構造を特徴としています。
内部容量とゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現しながら、極めて低いオン抵抗を保証します。
仕様
メーカー:STマイクロエレクトロニクス
製品カテゴリー: MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:PowerFLAT 5x6
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流:125 A
Rds-ドレインオン抵抗:4.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 2 V
Qg - ゲート電荷量: 56 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-消費電力:150 W
チャネルモード:エンハンスメント
立ち下がり時間: 17 ns
立ち上がり時間:16 ns
トランジスタ・タイプ:1 Nチャンネル
典型的なターンオフ遅延時間:41 ns
典型的なターンオン遅延時間:17 ns
ユニット重量:76 mg
アプリケーション
スイッチング・アプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 8x8
3000
Nチャネル600 V、175 mOhm典型値、15 A MDMesh DM 6パワーMOSFET、PowerFLAT 8 x 8 HVパッケージ
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