商品名称:NVMYS3D3N06CLTWG
データマニュアル:NVMYS3D3N06CLTWG.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:SOT-1023
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NVMYS3D3N06CLTWGは、AEC-Q101準拠のシングルNチャネルMOSFETで、実装面積が5mm x 6mmと小さいため、小型設計に最適です。 これらのデバイスは、ドレイン・ソース間のオン抵抗が低いため導通損失を最小限に抑え、ゲート電荷とキャパシタンスが低いためドライバーの損失を最小限に抑えます。 これらの車載グレードのパワーMOSFETは、鉛フリー、RoHS対応で、広い動作温度範囲(-55°C~+175°)です。
製品特性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):60 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):26A(Ta)、133A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 3 mOhm @ 50A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時:40.7 nC @ 10 V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 2880 pF @ 25 V
許容損失(最大): 3.9W(Ta)、100W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: LFPAK4 (5x6)
パッケージ/ケース:SOT-1023、4-LFPAK
アプリケーション
● 車載用
● 無停電電源装置
● ソーラーインバータ
● モータードライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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