商品名称:NVMFD5C470NLWFT1G
データマニュアル:NVMFD5C470NLWFT1G.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:8-DFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NVMFD5C470NLWFT1G 小型・高効率設計向け車載用パワーMOSFET、5x6mmフラットリード・パッケージに搭載、高い放熱性能を実現。
仕様
メーカー:オンセミ
製品カテゴリー:MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SO-8FL-Dual-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 2チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流: 36 A
Rds-オン-ドレインオン抵抗:9.2 mOhms、9.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧:1.2 V
Qg - ゲート電荷量: 9 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-消費電力:24 W
チャネル・モード:エンハンスメント
認定: AEC-Q101
シリーズ: NVMFD5C470NL
構成: デュアル
ダウンタイム: 36 ns、36 ns
順方向トランスコンダクタンス - min: 30 S, 30 S
立ち上がり時間: 55 ns、55 ns
トランジスタタイプ: 2 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間:20 ns、20 ns
標準ターンオン遅延時間: 9.3 ns、9.3 ns
単位重量:161.193 mg
代表的アプリケーション
電磁弁アクチュエータ
ローサイド/ハイサイド・アクチュエータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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