商品名称:NTMFD024N06CT1G
データマニュアル:NTMFD024N06CT1G.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:8-DFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NTMFD024N06CT1G NチャンネルMOSFETは、先進のパワー・トレンチ・プロセス(シールド・ゲート技術との組み合わせ)を使用して製造された60V MOSFETです。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えるように最適化されており、優れたスイッチング性能を維持するために優れたソフト・ダイオードが使用されています。
製品特性
テクノロジー:MOSFET(酸化金属)
構成:2 Nチャンネル(デュアル)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):60V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):8A(Ta)、24A(Tc)
オン抵抗(最大)(異なるId、Vgs時):22.6 mOhm @ 3A、10V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):5.7nC@10V
入力キャパシタンス(Ciss)@Vds(最大): 333pF @ 30V
電力 - 最大: 3.1W(Ta), 28W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-DFN(5x6)デュアルマーク(SO8FL - デュアルチャネル)
代表的アプリケーション
電動工具、バッテリー駆動式掃除機
ドローン/UAV、マテリアルハンドリング
BMS/ストレージ、ホームオートメーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ON Semiconductor(Nasdaq:ON)は、エネルギー効率の高い電子機器向けの高性能シリコンソリューションの主要サプライヤーです。 同社の製品ポートフォリオには、電力および信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムデバイスが含まれており、自動車、通信、コン…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-Eは、オン・セミコンダクターの三相ブラシレスDC(BLDC)モータ・プリドライバで、車載エレクトロニクス、産業用制御、民生用モータ駆動アプリケーション向けに設計されています。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET デバイスは、ノーマリーオンの SiC JFET を Si MOSFET とコ・パッケージし、ノーマリーオフの SiC FET デバイスを作製するユニークな「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性により、Si IGBT、Si FET、…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET デバイスは、ノーマリーオンの SiC JFET を Si MOSFET とコ・パッケージし、ノーマリーオフの SiC FET デバイスを作製するユニークな「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性により、Si IGBT、Si FET、…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET デバイスは、ノーマリーオンの SiC JFET を Si MOSFET とコ・パッケージし、ノーマリーオフの SiC FET デバイスを作製するユニークな「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲート・ドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、Si…UF3C120040K4S
UF3C120040K4Sは、高性能F3 SiC高速JFETにカスコード最適化MOSFETを搭載した、現在市場で唯一の標準ゲート駆動SiCデバイスです。これは、4端子T0247-パッケージを使用した非常に高速なスイッチングと、同様の定格のデバイスの中で最高の逆回復特性を示します。このデバイ…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FETデバイスは、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージし、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを製造するユニークな「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲート・ドライブ特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MO…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: