商品名称:NXH040F120MNF1PTG
データマニュアル:NXH040F120MNF1PTG.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:Module
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
NXH040F120MNF1PTGは、40m/1200VのSiC MOSFETフルブリッジとサーミスタをF1パッケージに収めたパワーモジュールです。
特長
40 m/1200 V SiC MOSFETハーフブリッジ
サーミスタ
熱インターフェース材料(TIM)付きオプションとTIMなしオプション
プレスフィットピン
これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲン化物フリー、RoHS対応です。
用途
ソーラー・インバータ
無停電電源装置
電気自動車充電ステーション
産業用電源
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
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UF3C120040K3S SiC FET デバイスは、ノーマリーオンの SiC JFET を Si MOSFET とコ・パッケージし、ノーマリーオフの SiC FET デバイスを作製するユニークな「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲート・ドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、Si…UF3C120040K4S
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