商品名称:STPSC20H12G-TR
データマニュアル:STPSC20H12G-TR.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:TO-263-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
STPSC20H12G-TR SiCダイオードは、超高性能パワーショットキー整流器です。 炭化ケイ素基板を使用して製造されています。 ワイドバンドギャップ材料により、低VFで定格電圧1200Vのショットキーダイオード構造を設計することができます。
パラメータ
技術 SiC(シリコンカーバイド)ショットキー
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) 1200 V
電流-平均整流値(Io) 20 A
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ 1.5 V @ 20 Aの場合
速度 回復時間なし > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) 0 ns
電流 - 逆方向リーク @ Vr 120 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr, F 1650pF @ 0V, 1MHz
マウントタイプ 表面実装
パッケージ/ハウジング TO-263-3、D²Pak(2リード+ソルダラグ)、TO-263AB
サプライヤー デバイスパッケージ D²PAK
動作温度 - ジャンクション - 40°C ~ 175°C
特徴
-逆回復なし、または無視できる
-温度に依存しないスイッチング動作
-強力な高耐圧ペリフェラル
-動作温度 -40°C~175°C
-低VF
-エコパック®対応部品
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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