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AIプロセッサー・チップ

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C3M0060065D

製品の説明:Nチャンネル・エンハンスメントモード炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065K

製品の説明:Nチャンネル・エンハンスメントモード炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120D

製品の説明:Nチャンネル・エンハンスメントモード炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0060075K1

製品の説明:車載用Nチャンネル エンハンスメントモード Eシリーズ 炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075K1

製品の説明:車載用Nチャンネル エンハンスメントモード Eシリーズ 炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS350M12BM3

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール1200 V350 Aベースマウント、62 mm、ハーフブリッジ

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS530M12BM3

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール1200 V530 Aベースマウント、62 mm、ハーフブリッジ

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CHB011M12GM4

製品の説明:1200 V、11 mΩ、GM、T型、産業用ケイ素(SiC)モジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB004M12GM4

製品の説明:1200 V、4 mΩ、GM、ハーフブリッジ、産業用シリコンカーバイド(SiC)モジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS310M17BM3

製品の説明:1700V 310A 炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB6R0A23GM4T

製品の説明:2300V 6.0mΩ炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB7R5A23GM4T

製品の説明:2300V 7.5mΩ炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB5R0A23GM4T

製品の説明:2300V 5.0mΩ炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0280090J

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル900 V 11A (t) 50W (t) to-263 -7です。

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 17A (Tc) 97W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120J

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) to-263 -7です。

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
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