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深圳市明佳達電子有限会社
モデル

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

サービス電話:86-755-83294757

製品分類

集積回路（IC）

イーサネット RFサンプリング・トランシーバー ロジック・レベル・コンバーター インターフェースIC - マルチレートリタイマー SASエキスパンダー パワー・アンプ・モジュール クロック/タイミング,発振器 時計/タイミング - ナノタイマー デジタルクロスポイントスイッチ 超音波トランシーバー クロック/タイミング - ディレイ・ライン カードリーダーコントローラー ロジック - ゲートとインバータ トランスミッタ 絶縁コンパレータ 高速コンパレータ インターフェイス - マルチレートタイマー USBコントローラー CCDシグナルプロセッサ 測光フロントエンド アイソレーション・アンプ デジタル・ディスプレイ・コントローラー デジタルコントローラー オーディオプロセッサー

IoT/IGBT モジュール

2Gモジュール 4Gモジュール 5Gモジュール IoTモジュール 新エネルギーモジュール 車両グレードのモジュール スマートモジュール メモリモジュール セルラーIoTモジュール 衛星通信モジュール GNSSモジュール LPWAモジュール IoTチップ 無線通信モジュール

フィルター

2.4GHzWi-Fiバンドパスフィルタ アクティブフィルタ RFフィルター ハイパスフィルター 5GHz Wi-Fi バンドパスフィルター 6GHz Wi-Fiバンドパスフィルター

ワイヤレス接続

Wi-Fi 6 ブルートゥースIC Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 超広帯域UWB IC GNSS受信機 Wi-Fi 4 WiFiモジュール 低消費電力のBluetooth Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 ワイヤレスNICチップ Bluetoothモジュール WiFiワイヤレスモジュール BluetoothオーディオSoc

回路保護

サージ抑製IC ESDサプレッサ/TVSダイオード 放電管 - GDT / ガスプラズマアレスタ TVS - 混合技術

ディスクリート半導体

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル ラジオ週波数トランジスタ パワーMOSFETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FET PチャネルMOSFET トランジスタ - RF FET、MOSFET MOSFETモジュール サイリスター ダイオード・アレイ・モジュール MOSFETトランジスター NチャンネルMOSFET IGBTトランジスタ ダイオードと整流器 ショットキーダイオード、整流器 シングルツェナーダイオード バイポーラトランジスタアレイ パワードライバモジュール ダイオード - 整流器 - シングル トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ トランジスタ - IGBT - モジュール トランジスタ - UGBT、MOSFET - シングル

電源管理

窒化ガリウム（GaN）IC リニアレギュレータLDO AC-DCコントローラとレギュレータ DC-DC電源製品 電圧基準 バッテリ管理 PoweroverEthernet（PoE）コントローラ

コネクタ

丸型コネクター 自動車用コネクター カードエッジコネクター 基板対基板、メザニンコネクター FFC、FPC（フラットフレックス）コネクター バックプレーンコネクター 角型コネクター 同軸コネクタ（RF） 長方形コネクタ - アレイ、エッジタイプ、メザニン（基板間）

センサー

バイオメトリック・センサ 速度センサー 湿度センサー ホール効菓電流センサ 超音波センサ 光センサー - 環境光、赤外線、紫外線センサー 光センサー、フォトダイオード 湿度、水分センサー 光学検出器とセンサー-赤外線検出器 基板実装温度センサー 光センサー - 環境光 ガスセンサー ポジションセンサー 産業用ミリ波レーダー・センサ 車載用ミリ波レーダーセンサー イメージセンサーです レーダーセンサーです モーションセンサージャイロスコープです 超音波受信機、送信機(距離測定用のものです。) 光センサー - 反射型 - ロジック出力 センサーモジュールです あつりょくセンサ 電流センサー 静電容量式タッチセンサー

メモリー

NORフラッシュメモリー 不揮発性メモリ ランダムアクセスメモリRAM 静的ランダムアクセスメモリSRAM 同期ダイナミックランダムアクセスメモリSDRAM ソリッド・ステート・ドライブ - SSD 標準シリアルEEPROM 車載グレードのシリアルEEPROM eMMC 擬似スタティックランダムアクセスメモリ（PSRAM） 消去可能なプログラマブルROM NANDフラッシュ ユニバーサル フラッシュ ストレージ - UFS ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM メモリ-モジュール

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TSMC：2nmチップは、GAAテクノロジーを使用して2025年に初めて生産されます。

TSMC：2nmチップは、GAAテクノロジーを使用して2025年に初めて生産されます。

ソース:Fast Technology 2018時間:2022-04-18ブラウズ数:

TSMCは、HPC（ハイパフォーマンスコンピューティング）が今年最も急成長しているセグメントになると予測しています。 HPCは、前四半期の収益の41％を生み出しました。これは、スマートフォンが生み出した40％をわずかに上回っています。 IoTと自動車は3番目と4番目になり…

4月18日、第1四半期の決算発表で、TSMCは次世代プロセスノードの開発に全力で取り組んでいると報告しました。 半導体の巨人は、最初の3ナノメートルのプロセスを今年後半に生産し、2025年末までに2ナノメートルのプロセスを準備する予定です。


TSMCはN2で初めてGAAFET（フルサラウンドゲートトランジスタ）を使用し、徐々にfinFET（フィン電界効果トランジスタ）に取って代わったと報告されています。 SamsungはすでにGAAのバージョンの使用を開始しており、Intelは2024年にGAAのバージョンを実装する予定です。


2022年の後半に、TSMCはN3プロセスを生産に移します。 1年後、またはおそらくもっと早く、N3の「パフォーマンス、パワー、歩留まりの向上」バージョンであるN3Eプロセスを本番環境に導入する準備が整います。


TSMCは、HPC（ハイパフォーマンスコンピューティング）が今年最も急成長しているセグメントになると予測しています。 HPCは、前四半期の収益の41％を生み出しました。これは、スマートフォンが生み出した40％をわずかに上回っています。 IoTと自動車は3番目と4番目になり、それぞれ収益の8％と5％を生み出しました。


会社のウェブサイト:www.jpxjjh.com


5G工場の建設をスピードアップ！ 工業情報化部：5G完全接続工場のベンチマークを10個作成 戻る
リスト# 2021年に世界の半導体市場の売上高は26.3％増加し、Samsungは1位を取り戻しました

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